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含有易挥发元素的Eu2PdSi3光辐射悬浮区熔法晶体生长

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  您的位置:网站首页《中文科技期刊数据库》工程技术材料科学合金学与各种合金 摘要

  新型磁盘存储材料Eu2PdSi3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点。本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu2PdSi3单晶。采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu2PdSi3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu2PdSi3晶体。研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题。

  《稀有金属与硬质合金》于1973年创刊,是集稀有金属与硬质合金两大类别的一级技术期刊,主要报道稀有金属(钨、钼、钽、铌、稀土、钛、锂、铍、铷、铯、锆、铪、钒、镓、铟、铯、锗、硒、铼等)和硬质合金的生产、加工......详细

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