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悬浮区熔法生长Tb_5Si_3晶体完整性研究

  Hot Working Technology 2014,Vol.43,No.7悬浮区熔法生长 Tb 5 Si 3 晶体完整性研究徐义库1,2 , 刘 林 2 , 张 军 2(1. 长安大学 材料科学与工程学院, 陕西 西安 710064 ; 2. 西北工业大学 凝固技术国家重点实验室, 陕西 西安 710072)摘 要:通过采用光辐射加热悬浮区熔法制备了 Tb 5 Si 3 单晶。 得出的结论为: 3 mm/h 的生长速度, 0.1 MPa 的循环氩气比较适合 Tb 5 Si 3 单晶体的生长; Tb 5 Si 3 单晶基体内容易产生定向 Tb 5 Si 4 脱溶沉淀相。 调整材料成分可明显减少Tb 5 Si 3 相沉淀的尺寸和数量,提高制备晶体的完整性。关键词:悬浮区熔技术; 晶体生长; 沉淀; ...

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